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Utsource
Parameter Value Unit Part Number 1N4744A - Voltage 15 V Power Rating 1 W Current (Test) 10 mA Temperature Range -65 to +150 °C Package Type DO-35 (Diode Outline) - Quantity 20 PCS
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-252
WG
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Drain-Source Voltage VDS 60 V Maximum drain-source voltage Gate-Source Voltage VGS -15 15 V Maximum gate-source voltage Continuous Drain Cur
Depósito:10000
Mínimo:3
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO247
International Rectifier
15+
Description: The IRG4PH50U is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) module with a maximum collector-emitter voltage of 600V and a maximum collector current of 50A. Features: Low saturation vol
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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SEP
17+
Parameter Symbol Value Unit Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 50 V Maximum DC Blocking Voltage VR 50 V Maximum RMS Voltage (at T = 25°C) VRRMS 35.4 V Maximum Average Rectified
Depósito:10000
Mínimo:3
Entrega estándar
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TO-247
International Rectifier
Parameter Value Unit Device IRGP50B60PD1PBF Package TO-247 Maximum Drain Current 50 A Maximum Gate Source Voltage ±20 V Maximum Drain Source Voltage 600 V RDS(on) (Max) @ VGS = 10V
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO3PF
Sanyo
15+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO - - 1500 V Emitter-Base Voltage V(BR)EBO - - 10 V Collector Current IC - - 2 A Power Dissipation Ptot - - 180 W Junc
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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SOD-123FL
WG
18+
Parameter Description Part Number F1M Type Fuse Rated Voltage 250V AC Rated Current 1A Breaking Capacity 35A at 250V AC Response Time Fast acting Dimensions 5x20mm Operating Tempe
Depósito:10000
Mínimo:13
Entrega estándar
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TO-252-2(DPAK)
STMicroelectronics
Description: The STMicroelectronics ACST410-8BTR is a dual N-channel enhancement mode power field effect transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. It is designed for use in low
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-220F
UTC
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Forward Voltage VF - 2.0 2.4 V @ 20mA Forward voltage at 20mA Reverse Breakdown Voltage VBR 100 - - V Minimum reverse breakdown voltage Continu
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-247
International Rectifier
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Test Conditions Drain-Source Voltage VDS - 200 - V Gate-Source Voltage VGS -20 0 15 V Continuous Drain Current ID (DC) - 9.0 - A TC = 25°C, VGS = 10V
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-126
STMicroelectronics
Description: The 2SD882 is a silicon NPN power transistor designed for use in audio and general purpose applications. Features: High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage Low c
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-247
Sanyo
03+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Supply Voltage VDD 2.0 3.3 5.5 V Operating supply voltage range Input Voltage VIN -0.3 VDD+0.3 V Maximum input voltage relative to supply Outp
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
Depósito:10000
Mínimo:4
Entrega estándar
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DIP6
1616
Parameter Description Value Unit Part Number Identifier for the component 77208C - Package Type Physical package of the component SOIC-8 - Operating Voltage Range of voltage where the devic
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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RF TRANSISTOR
STMicroelectronics
Description: The SD57045 is a NPN Silicon RF Transistor designed for use in high frequency applications. Features: -High gain -Low noise figure -High power output -High frequency operation -Hi
RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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SOP-8
14＋
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Switching Frequency fsw VCC = 5V 100 200 400 kHz Duty Cycle Range D 0.1 0.9 Input Voltage Range VIN 7 36 V Output Voltage Regulation Vout
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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SMC(DO-214AB)
STMicroelectronics
The STPS5L60S is a 5A, 600V, ultrafast, soft-recovery, dual-channel, surface-mount, ultrafast diode from STMicroelectronics. It is designed to protect sensitive electronic equipment from voltage trans
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
International Rectifier
new cycle
Description: The IRFB4227PBF is a N-Channel MOSFET transistor manufactured by International Rectifier. It is designed for use in high current, high speed switching applications. It has a drain-source
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-3P
Sanyo
Parameter 2SC5669 (NPN) 2SA2031 (PNP) Type NPN Bipolar Transistor PNP Bipolar Transistor Collector-Emitter Voltage (Vce) 80 V 80 V Emitter-Base Voltage (Veb) 5.5 V 5.5 V Collector Current
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-247
Infineon Technologies AG
16+
Parameter Symbol IKW08T120 / K08T120 Unit Collector-Emitter Voltage V CES 1200 V Collector Current I C 8 A Gate-Emitter Voltage V GE ±20 V Power Dissipation P T 130 W Junction Temperatu
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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