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Utsource
DFN5X6
Toshiba America Electronic Components
14+
Description: The TPH8R903NL is a low-voltage, low-power, high-speed, low-noise, low-dropout linear regulator with a maximum output current of 800mA. Features: Output voltage range of 0.8V to 5.0V L
Nch VDSS≤30V
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-3PF
Fuji Electric
14+
Description: This is a TO-3PF type power MOSFET transistor manufactured by Fuji. Features: * Low on-resistance * High breakdown voltage * Low gate charge * Low input capacitance * High speed switchin
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-220F-7
Sanken Electric
11+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Supply Voltage VDD 4.5 5.0 5.5 V Operating supply voltage Output Current IOUT - 1.5 2.0 A Maximum continuous output current Quiescent Current I
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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SOP16
Toshiba America Electronic Components
16+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Supply Voltage Vcc 4.5 5 5.5 V Operating supply voltage range Output Current Iout - 50 100 mA Maximum output current per channel Operating Temp
Interface Driver, Transistor Array
Depósito:10000
Mínimo:4
Entrega estándar
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TO-252
BCD
13+
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Average Rectified Current I_F(AV) T_A = 25°C 10 A Peak Repetitive Reverse Voltage V_RRM T_J = 25°C 200 V Maximum RMS Voltage V_RM 141 V
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
Samwin
12+
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Breakdown Voltage V(BR)DSS ID = 250 μA, TC = 25°C - - 600 V Drain-source On-state Resistance RDS(on) VGS = 10V, ID = 43 A, TC = 25°C - 6.0 - mΩ
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-90-3
Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage V(DS) 500 V Gate-to-Source Voltage V(GS) ±20 V Continuous Drain Current I(D) 4 A Pulsed Drain Current I(DM) 8 A Power Dissipation P(T
Depósito:10000
Mínimo:3
Entrega estándar
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SOP8
National Semiconductor
10+
Description: High Voltage, Low Side, N-Channel MOSFET Features: - Low On-Resistance - Low Gate Charge - Fast Switching - High Voltage - Low Input Capacitance - Low Output Capacitance - ESD Protection
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-220
Vishay Siliconix
12+
The VS-HFA16TA60C is a high-speed, low-loss, 600V N-channel MOSFET from Vishay. It is a TO-220 package with a maximum drain current of 16A. Description: The VS-HFA16TA60C is a high-speed, low-loss, 6
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-252
Diodes
14+
Description: Dual N-Channel MOSFET Features: Low On-Resistance Low Gate Charge Low Input Capacitance Low Output Capacitance Low Threshold Voltage High Speed Switching RoHS Compliant Application
Depósito:10000
Mínimo:4
Entrega estándar
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TO-220
Powergate
10+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Drain-Source Voltage VDSS 900 V Maximum drain-to-source voltage Gate-Source Voltage VGS -15 20 V Maximum gate-to-source voltage Continuous D
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TSSOP-28
Infineon Technologies AG
16+
The SLB9665TT2.0 FW5.60 is an integrated circuit (IC) from Infineon Technologies. It is a low-voltage, low-power, high-performance dual-channel motor driver IC designed for use in brushless DC (BLDC)
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
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SSOP32
JRC
07+
NJW1163V is a low-noise dual operational amplifier manufactured by JRC. It is available in an SSOP32 package. Description: The NJW1163V is a low-noise dual operational amplifier with a wide range of
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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N/A
JST
12+
The S2B-EH(LF)(SN) is a surface mount connector manufactured by JST. It is a 2-pin connector with a pitch of 2.50mm. It is designed for use in a variety of applications, including automotive, consumer
Depósito:10000
Mínimo:16
Entrega estándar
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TO-247
16+
Parameter Symbol Value Unit Maximum Drain Voltage VDSS 600 V Maximum Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 39 A Pulse Drain Current (t=10μs) Ipp 150 A Power Dissipat
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-220
Infineon Technologies AG
17+
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit On-State Resistance RDS(on) VGS = 10V, ID = 40A - 65 - mΩ Gate Charge Qg VDS = 650V, ID = 40A - 78 - nC Input Capacitance Ciss VDS = 650V - 2900
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-247
FSC
14+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Collector-Emitter Voltage V CES 600 V Maximum voltage between collector and emitter Gate-Source Voltage V GS -15 15 V Maximum voltage between
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
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BGA-72
Toshiba America Electronic Components
13+
Description: The TC358746XBG is a Mobile Industry Processor Interface (MIPI) bridge chip from Toshiba America Electronic Components. It is a low-power, high-speed bridge chip that enables the connecti
Driver for Display
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220F
13+
Description: TK4A65D is a four-terminal thyristor with a TO-220F package. Features: Low on-state voltage High surge current capability High commutation capability High temperature operation Low
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-247
Fuji Electric
15+
Description: The FDRW70C60L is a high-speed, low-loss IGBT module from Fuji Electric. Features: High speed switching Low loss High reliability Low inductance Low noise Applications: The FD
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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