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Utsource
MODULE
Below is the parameter table and instructions for the MG100J6ES52, a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) component. Parameter Table Parameter Symbol Min Typ Max Unit Drai
N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
Depósito:2000
Mínimo:1
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MODULE
Others
Description: This is a module from Mitsubishi Electric that is used to control the operation of a motor. It is a 50A rated module with a 6-pole structure. Features: Rated current of 50A 6
Power and Industrial Semiconductors Data Book
Depósito:2000
Mínimo:1
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MODULE
Infineon Technologies AG
The FS15R06VE3 is a three-phase full-bridge rectifier module from Infineon Technologies AG. It is designed for use in motor drives, solar inverters, and other power conversion applications. The mod
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-13
Depósito:2000
Mínimo:1
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MODULE
00+
The MG200Q1UK1 is a power module from Mitsubishi Electric. It is a high-performance, low-loss insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. This module is designed for use in motor control applicat
Filter - KPCS Tx
Depósito:2000
Mínimo:1
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MODULE
Description: BSM15GD120DN12 is an IGBT module manufactured by Infineon Technologies. It is a 1200V, 15A, dual N-channel IGBT module. Features: 1200V blocking voltage 15A continuous current
IGBT Modules up to 600V PIM
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
IXYS
VUB120-12NO1 is an IGBT module manufactured by IXYS. It is a 1200V, 120A, N-channel IGBT module. Description: The VUB120-12NO1 is a 1200V, 120A, N-channel IGBT module. It features a fast switching sp
Three Phase Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
Sanrex
Description: The FDS100BA60 is a fast recovery diode module from Sanrex. It is designed for use in inverter, UPS, and other power supply applications. Features: 1200V blocking voltage Low forwa
FAST RECOVERY DIODES
Depósito:5000
Mínimo:1
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MODULE
IXYS
VUB72-16NO1 is a module manufactured by IXYS. It is a three-phase bridge rectifier module with a voltage rating of 1600V and a current rating of 72A. It is designed for use in motor control and power
Three Phase Rectifier Bridge With Brake Chopper
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
Eupec Gmbh & Co Kg
FS25R12YT3 is a module manufactured by Eupec GmbH & Co KG. It is a three-phase, insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module with a rated current of 25A and a voltage of 1200V. It is designed for u
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
Fairchil
Description: The FSAM10SH60A is a 600V, 10A, single Insulated N-Channel IGBT Module. Features: High Voltage Rating of 600V High Speed Switching of 10A High Deflection Voltage High Short Circuit W
SPM (Smart Power Module)
Depósito:5000
Mínimo:1
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MODULE
Fairchild
0309+
FAIRCHILD) Description: FSAM30SM60A is a 600V, 30A, Fast Recovery Diode Module from Fairchild Semiconductor. Features: Low forward voltage drop High current capability Low reverse leakage current
30A, Smart Power Module SPM; Package: SPM32-AA P; No of Pins: 32; Container: Rail
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
Parameter Description Part Number CM200DU-24FA Type IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Collector-Emitter Voltage (Vce) 650 V Collector Current (Ic) 200 A continuous, 800 A non-repet
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
Toshiba
00+
Description: Toshiba MG200J2YS50 is an IGBT module with an isolated baseplate. Features: Low saturation voltage High speed switching Low switching loss High reliability High surge capability Low
Silicon N-channel IGBT GTR module for high power switching, motor control applications
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
Mitsubis
The CM200DU-12F is a module manufactured by Mitsubishi. It is a 200A IGBT module with a voltage rating of 1200V. It is designed for use in medium-voltage inverter applications such as motor drives, we
Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 200 Amperes/600 Volts
Depósito:2000
Mínimo:1
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MODULE
Eupec
Description: EUPEC FS10R12YE3 is a three-phase, insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module. Features: Low conduction losses Low switching losses High surge current capability Short-ci
IGBT-Module IGBT-modules
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
Eupec
00+
Description: The FS300R12KE3 is a three-phase insulated gate bipolar transistor (IGBT) module manufactured by EUPEC. It is designed for use in motor control, uninterruptible power supply (UPS) systems
Technische Information / technical information
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
Mitsubis
00+
The CM450HA-5F is a module manufactured by Mitsubishi. It is a power module that is used to control the speed of AC motors. It is designed to provide high-speed control and high-efficiency operation.
RxxP2xx Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage Vdc: 24V; Output Voltage Vdc: 12V; Power: 2W; EN 60950 certified, rated for 250VAC; UL-60950-1 / CSA C22.2 certified; 5.2kVDC Isolation for 1 Minute; Optional Continuous Short Circuit Protected; Wide Operating Temperature Range atfull 2 Watts Load, ?40??C to +85??C; Twin Chamber Transformer System; UL94V-0 Package Material; Efficiency to 80%
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
MIT
Description: The CM600HA-24H is a 600V, 50A, three-phase, half-bridge IGBT module from Mitsubishi Electric. Features: High speed switching Low on-state voltage drop Low noise High reliability L
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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MODULE
Eupec/siemens
The BSM25GD120D is a 1200V, 25A IGBT module manufactured by EUPEC/Siemens. It is a three-phase inverter module with a maximum junction temperature of 150°C. The module features a low conduction loss,
High Efficient Rectifier Diodes
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
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MODULE
The CM100TJA-24FA is a power module manufactured by Mitsubishi Electric. It is a three-phase bridge rectifier module with a rated current of 100A and a rated voltage of 600V. It is designed for use in
Trench Gate Design 100 Amperes/600 Volts
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
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