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Utsource
DO-41
STMicroelectronics
1N4747A is a 1 Watt Zener diode with a 20V breakdown voltage. It is packaged in a DO-41 (ST) package, which is a standard axial leaded package. The 1N4747A is used in applications such as voltage reg
Depósito:30000
Mínimo:137
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
3000
SK
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM - - - 40 V Maximum DC Blocking Voltage VR - - - 40 V Maximum Average Rectified Forward Current (Tam
Depósito:30000
Mínimo:37
Entrega estándar
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DO-214AA/SMB
Vishay Siliconix
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Reverse Standoff Voltage Vrwm 16 V Maximum Clamping Voltage Vc Ipp = 20.8A 34.7 V Peak Pulse Current Ipp Tp = 10/1000μs 20.8 A Reverse
Depósito:10000
Mínimo:17
Entrega estándar
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DO-41
MIC
Parameter Value Component Type Diode Part Number 1N4007 Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 1000V Maximum RMS Voltage 707V Maximum Average Forward Rectified Current (IF(AV))
Depósito:30000
Mínimo:44
Entrega estándar
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Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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DO-41
MIC
Description: The 1N5822 is a 3A, 40V Schottky Rectifier Diode with a low forward voltage drop and fast switching speed. Features: Low forward voltage drop High current capability High surge
Depósito:30000
Mínimo:44
Entrega estándar
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DO-41
STMicroelectronics
1N4746A is a 1W 18V Zener Diode with a DO-41 (ST) package. It is designed for use in general purpose applications such as voltage regulation, voltage reference, and overvoltage protection. Features:
Depósito:30000
Mínimo:110
Entrega estándar
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TO-92
10+
Parameter Symbol Min Max Unit Conditions Collector-Emitter Voltage VCEO - 80 V IC = 0.1A, TA = 25°C Collector-Base Voltage VCBO - 80 V IC = 0, TA = 25°C Emitter-Base Voltage VEBO - 5 V IE =
Depósito:10000
Mínimo:4
Entrega estándar
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250
STMicroelectronics
The 1N4733A is a 5.1V, 1W Zener diode with a DO-41 (250 ST) package. It is designed for use in voltage regulation, surge suppression, and reverse-bias protection applications. Its low dynamic impedanc
Depósito:30000
Mínimo:137
Entrega estándar
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Parameter Value Unit Device IRLR8726PBF Type MOSFET Package SO-8 VDS (Drain-Source Voltage) 30 V RDS(on) @ VGS=10V 1.4 mΩ ID (Continuous Drain Current) 59 A PD (Power Dissipation
Depósito:10000
Mínimo:4
Entrega estándar
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DO-41
STMicroelectronics
1N4750A is a 1W Zener diode with a voltage of 12V. It is a DO-41 package with a glass passivated junction. Description: The 1N4750A is a 12V 1W Zener diode with a glass passivated junction. It has a
Depósito:30000
Mínimo:22
Entrega estándar
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Depósito:10000
Mínimo:750
Entrega estándar
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Depósito:10000
Mínimo:750
Entrega estándar
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DO-214AA/SMB
Vishay Siliconix
19+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Reverse Standoff Voltage VRWM - 5.0 - V Maximum Clamping Voltage VC - - 7.6 V Peak Pulse Current (8/20μs) IPP - - 14 A Reverse Leakage Current IR - -
Depósito:30000
Mínimo:37
Entrega estándar
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DO-41
STMicroelectronics
Parameter Symbol Value Unit Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V_RRM 360 V Maximum DC Blocking Voltage (Reverse) V_R 360 V Maximum Average Forward Rectified Current (T_A = 25°C) I_F(AV
Depósito:30000
Mínimo:22
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
13+
The TK6A50D is a 600V, 6A N-channel MOSFET produced by Toshiba. It is a surface mount device with a TO-220F package. Description: The TK6A50D is a N-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage
Depósito:10000
Mínimo:6
Entrega estándar
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DO-35
STMicroelectronics
Parameter Value Unit Type Zener Diode - Package DO-35 - Zener Voltage (Vz) 8.3 V Power Dissipation (Pd) 200 mW Operating Temperature (Tj) -65 to +150 °C Forward Current (If) 5 mA Re
Depósito:30000
Mínimo:183
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
DO-41
Do-41
1N4007 is a popular 1A general-purpose silicon rectifier diode with a peak repetitive reverse voltage of 1000V. It is typically used for power supply applications, such as rectifying AC to DC, and for
Depósito:30000
Mínimo:1000
Entrega estándar
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DO-41
STMicroelectronics
1N4753A is a 1.5A, 400V, axial leaded, glass passivated, single-phase silicon rectifier diode. Description: The 1N4753A is a high-reliability, single-phase, 400V, 1.5A silicon rectifier diode. It is
Depósito:30000
Mínimo:22
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
Parameter Value Type Zener Diode Part Number 1N4751ATR Zener Voltage (Vz) 12V Power Dissipation (Pz) 1W (1000mW) Maximum Current (Izm) 83mA Operating Temperature -65°C to +150°C Cas
Depósito:30000
Mínimo:22
Entrega estándar
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