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Código de paísPANASONIC
Su búsqueda:MIP2E2DMY, Cantidad de productos pertinentes:6
Depósito:10000
Mínimo:5
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Description: MIP2E2DMY is a N-Channel MOSFET manufactured by Panasonic. It has a drain-source voltage of 30V and a drain current of 2A. Features: - Low on-resistance - Low gate charge - Fast switchin
Depósito:10000
Mínimo:2
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Description: N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features: Low On-Resistance Fast Switching Speed Low Gate Charge Low Input Capacitance Low Threshold Voltage RoHS Compliant Applications: DC/DC Co
Depósito:21
Mínimo:3
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Description: N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features: - Low On-Resistance - Low Input Capacitance - Low Gate Charge - High Speed Switching - High Avalanche Energy - Low Leakage Current - RoHS Compl
Depósito:1975
Mínimo:10
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Depósito:2000
Mínimo:5
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Depósito:39
Mínimo:2
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Detener a los expertos en producción, podemos proporcionar una gran cantidad de componentes electrónicos que se han detenido y que son difíciles de encontrar para facilitar la empresa de mantenimiento.