F1001
TO-59
Polyfet
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
Здравствуйте, ! Войти или Зарегистрироваться сейчас
APP Справочник Прямая трансляция 290K likes UtsourceКупить(0)
Запрос цены(0)
Dear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.
Delivery Address
+ Добавить адрес
Новый адрес для отправки грузов
* Пожалуйста, заполните номер мобильного телефона правильно, чтобы получить информацию об отслеживании вовремя.
Кодекс страныROHM SEMICONDUCTOR
TYCO
PANASONIC
MOTOROLA
INFINEON
ERICSSON
FAIRCHILD
NEC
Вы искали: F1001, похожие товары 75 шт.
TO-59
Polyfet
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
В избранное
Наличность:3350
Минимальное количество заказа:646
В избранное
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:2
В избранное
TO-220
ROHM Semiconductor
TO220-3P
Fast recovery Diodes (Silicon Epitaxial Planar)
Description: RF1001T2D is a P-channel MOSFET transistor manufactured by ROHM. It is housed in a TO-220 package and is designed for use in switching applications. Features: - Low on-resistance - High
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:2
В избранное
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: Tyco Module Features: - Compact, lightweight design - Easy to install - Reliable and durable - High performance Application: The Tyco Module is used in a variety of applications, includ
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
TO-220AB
R
13+
Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching / Over Temperature Shut-down Capability
Package: TO-220AB,R Description: NPN Silicon Power Transistor Features: High DC Current Gain High Voltage Low Saturation Voltage Fast Switching Speed High Reliability Low Noise Applic
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:2
В избранное
Наличность:5000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
0805
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:3
В избранное
N/A
Panasonic
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
Наличность:30000
Минимальное количество заказа:260
В избранное
TO-220F
ROHM Semiconductor
09+
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
Description: RF1001 is a N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by ROHM. Features: - Low On-Resistance - Low Gate Threshold Voltage - Low Input Capacitance - High Speed
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:2
В избранное
В избранное
Наличность:185
Минимальное количество заказа:4
В избранное
Наличность:13
Минимальное количество заказа:6
В избранное
Наличность:10000
Минимальное количество заказа:1000
В избранное
Наличность:800
Минимальное количество заказа:5
В избранное
Наличность:337
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:62
Минимальное количество заказа:4
В избранное
В избранное
В избранное
Остановить производство экспертов, мы можем предоставить большое количество электронных компонентов, которые были остановлены производства и которые трудно найти, чтобы облегчить обслуживание компании